制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在前端器件层上的低介电材料层中形成出露所述前端器件层的沟槽，在所述沟槽内以及所述低介电材料层表面形成铜金属层，对所述铜金属层进行化学机械抛光处理，出露所述低介电材料层，对所述低介电材料层进行表面致密处理，在所述铜金属层和所述低介电材料层上形成掺杂氮的碳化硅层。根据本发明的方法能够有效解决半导体器件制造过程中的挥发性化合物对所制造的半导体器件的性能的影响的问题，节约半导体器件的生产成本，提高所制造的半导体器件的性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在前端器件层上的低介电材料层中形成出露所述前端器件层的沟槽，在所述沟槽内以及所述低介电材料层表面形成铜金属层；对所述铜金属层进行化学机械抛光处理，出露所述低介电材料层；对所述低介电材料层进行表面致密处理；在所述铜金属层和所述低介电材料层上形成掺杂氮的碳化硅层。