宽带低电场增强反射金属介电光栅

摘要

一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅，其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜层、金膜层和熔融石英层，在熔融石英层上刻蚀矩形槽光栅，该光栅的周期为558～567纳米，占空比为0.15～0.25，刻蚀深度为620～622纳米，连接层厚度为488～492纳米。本发明在TE偏振光以76～78度角入射时，可以实现80纳米波长带宽内(1010～1090纳米)光栅内部最大电场电场强度增强低于2，至少20纳米波长带宽内(1040～1060纳米)-1级衍射效率高于90％。

主权项

一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅，其特征在于其结构为熔融石英基底(4)上依次分别镀上铬膜层(3)、金膜层(2)和熔融石英层(1)，在熔融石英层(1)刻蚀矩形槽光栅，该光栅的周期为558～567纳米，占空比为0.15～0.25，刻蚀深度为620～622纳米，连接层厚度为488～492纳米。