| 发明名称 | 使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程 | ||
| 摘要 | 本发明涉及使用热机械作用通过修整制造多层结构的过程。包括：键合步骤(S1)，将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘，键合界面具有小于或等于1J/m2的粘附能量；以及减薄步骤(S3，S4)，减薄所述第一晶片，以便形成转移层(115)。在减薄所述第一晶片之前，使用砂轮执行修整所述第一晶片的边缘的修整步骤，所述砂轮的工作面包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30μm的高度(h110)处使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降，从而执行所述修整步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102194667A | 申请公布日期 | 2011.09.21 |
| 申请号 | CN201110009524.3 | 申请日期 | 2011.01.12 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | A·沃弗里达茨;S·莫利纳里 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;B24B9/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;靳强 |
| 主权项 | 一种用于制造多层结构(130)的过程，包括‑将第一晶片(110)键合到第二晶片(120)上，至少所述第一晶片具有倒角边缘(117a，117b)，键合界面具有小于或等于1J/m2的粘附能量；以及‑减薄所述第一晶片(110)，以便形成转移层(115)，其特征在于，该过程在减薄所述第一晶片(110)之前，包括使用砂轮(150)来执行的修整所述第一晶片(110)的边缘的修整步骤，所述砂轮(150)的工作面(151)包括平均尺寸大于或等于800目或者小于或等于18微米的砂粒，使所述砂轮以大于或等于每秒钟5微米的下降速度下降，此外在距离所述键和界面的高度小于或等于30μm处的高度(h110)使所述砂轮停止向所述第一晶片中下降，从而执行所述修整步骤。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||