由液体控制的多区基片支座改进的基片温度控制

摘要

提供了一种应用于等离子体处理设备的反应室内的基片支座。该基片支座包括底部元件和覆于该底部元件上的热传递元件。该热传递元件具有多个分区以单独地加热和冷却该热传递元件的每一个分区。该热传递元件上覆盖有静电卡盘。该静电卡盘具有用于在该等离子体处理设备的反应室内支撑基片的支撑面。冷液体源和热液体源与每一个分区内的流道流体连通。阀装置通过调整流通于流道中的热液体相对于冷液体的混合比来独立地控制液体的温度。在另一种具体实施方式中，沿供应管路和传输管路设置的加热元件对来自于液体源的液体在其流通进入流道之前进行加热。

主权项

一种应用于等离子体处理设备的反应室中的基片支座，所述基片支座包括：底部元件；覆于所述底部元件上的热传递元件，所述热传递元件设有多个分区，所述多个分区至少包括内设第一流道的第一分区和内设第二流道的第二分区，液体通过所述分区流通以单独地加热和冷却所述热传递元件的所述第一分区和所述第二分区；覆于所述热传递元件上的静电卡盘，所述静电卡盘设有用于在所述等离子体处理设备的反应室中支撑基片的支撑面；与所述第一流道和所述第二流道流体连通的冷液体源和热液体源；通过调整流通于所述第一流道和所述第二流道的所述热液体相对于所述冷液体的混合比，独立地控制所述第一分区和所述第二分区内液体温度的阀装置；通过控制所述阀装置来调整所述第一流道和所述第二流道内所述热液体相对于所述冷液体的混合比，以独立地控制所述第一分区和所述第二分区的温度的控制器。