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Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe, umfassend Polieren einer Oberfläche der Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Poliertuchs und in einem ersten Schritt unter Zufuhr einer Abrasive enthaltenden Poliermittelsuspension, anschließendem Beenden der Zufuhr der Poliermittelsuspension und in einem zweiten Schritt unter Zufuhr einer Poliermittellösung mit einem pH-Wert von größer oder gleich 12, die frei von Feststoffen ist, wobei das verwendete Poliertuch auf der mit der zu polierenden Oberfläche der Halbleiterscheibe in Berührung kommenden Seite eine Erhebungen umfassende Oberflächenstruktur aufweist und wobei das Poliertuch frei von abrasiv wirkenden Stoffen ist.
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