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Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleiterbauteils (1) mit nur einem einzigen Fotostrukturierungsschritt, bei welchem ein Halbleitermaterialbereich (20) mit einem Zentralbereich (20Z), mit einem Randbereich (20R) und mit einem Oberflächenbereich (20a) ausgebildet wird, im Zentralbereich (20Z) des Halbleitermaterialbereichs (20) eine dem Leistungshalbleiterbauteil (1) zugrunde liegende Halbleiterschaltungsanordnung (10) ausgebildet wird, ein für die Halbleiterschaltungsanordnung (10) vorgesehener elektrischer Randabschlussbereich (30) mit mindestens einem im Randbereich (20R) des Halbleitermaterialbereichs (20) verlaufenden Graben (40) ausgebildet wird, wobei der mindestens eine Graben (40) sich vom Oberflächenbereich (20a) des Halbleitermaterialbereichs (20) vertikal in den Halbleitermaterialbereich (20) hinein erstreckend ausgebildet wird, der mindestens eine Graben (32) durch eine in konformer Art und Weise erzeugte Passivierungsschicht (80) ausgekleidet und durch ein Dielektrikum (90) gefüllt wird, außerhalb des mindestens einen Grabens (32) der Oberflächenbereich (20a) des Halbleitermaterialbereichs (20) freigelegt und selbstjustiert zu dem mindestens einen Graben eine Metallisierung (100) ausgebildet wird, wobei das Dielektrikum in einem...
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