发明名称 |
利用常压低温等离子体技术制备的复合膜 |
摘要 |
本发明公开了一种利用常压低温等离子体技术制备的复合膜,其特征是作为底膜的多孔膜预涂覆接枝单体;等离子体辐照预涂接枝单体的多孔膜,引发同步辐照接枝反应;等离子辐照后接枝反应;后处理得到复合膜;其中多孔膜不溶于芳烃,接枝单体对醇、芳烃有较强的亲和性。本发明的效果和益处是在常压下,利用低温等离子体技术引发接枝填充聚合所制备的复合膜具有良好的选择性和渗透通量。利用常压低温等离子技术制备的复合膜具有制备过程环境友好、易于规模化工业生产的特点,有着很好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN102179183A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201010211258.8 |
申请日期 |
2010.06.28 |
申请人 |
大连理工大学 |
发明人 |
李战胜;李杨;张犇;曲连续;张春庆 |
分类号 |
B01D69/12(2006.01)I;B01D71/78(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I |
主分类号 |
B01D69/12(2006.01)I |
代理机构 |
大连理工大学专利中心 21200 |
代理人 |
梅洪玉 |
主权项 |
一种利用常压低温等离子体技术制备的复合膜,其特征在于,作为底膜的多孔膜预涂覆接枝单体;等离子体辐照预涂接枝单体的多孔膜,引发同步辐照接枝反应;等离子辐照后接枝反应;后处理得到复合膜;所述的多孔膜不溶于芳烃,接枝单体对醇、芳烃有较强的亲和性。 |
地址 |
116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 |