具有依赖邻近工作模式位线补偿的非易失性存储器及方法

摘要

当对连续的一页存储器存储单元进行编程时，每当一存储器存储单元已达到其目标状态并被禁止编程或被锁定而不能进一步编程时，其便会在一仍处于编程中的毗邻存储器存储单元上产生干扰。本发明部分地提供一种编程电路及方法，其中对所述仍处于编程中的毗邻存储器存储单元添加一对所述干扰的补偿量。将所述补偿量作为电压补偿量添加至一处于编程中的一存储单元的位线上。所述电压补偿量为其两个邻近存储单元中是没有或有一个或二个都处于一会产生干扰的模式(例如处于一禁止编程模式)中的预定函数。以此方式，使在并行编程高密度存储器存储单元时所固有的一误差得以消除或最小化。

主权项

一种用于在一非易失性存储器中对一页具有一与其控制栅极互连的共用字线的存储器存储单元进行并行编程的方法，所述非易失性存储器具有一存储器存储单元阵列，每一单元均具有一位于一控制栅极与一由一源极及一漏极所界定的沟道区之间的电荷存储单元、及一以可切换方式耦合至所述漏极的位线，所述方法包括：(a)为所述页的每一存储器存储单元提供一以可切换方式耦合至其漏极的位线；(b)为所述页中那些预定要接受编程的存储器存储单元中的每一个确定其邻近存储器存储单元是否处于一禁止编程模式中；(c)对于所述页中预定要被禁止编程的那些存储器存储单元而言，对其所述位线中的每一位线施加一第一预定电压来禁止编程；(d)对所述页中预定要接受编程的那些存储器存储单元的每一位线施加一第二预定电压以启动编程，所述每一位线的所述第二预定电压随其邻近存储器存储单元的运行模式而变化，以补偿来自所述邻近存储器存储单元的任何干扰，所述运行模式为禁止编程或编程模式；及(e)对所述字线施加一编程电压脉冲，以对所述页的所述存储器存储单元进行并行编程，其中通过使那些具有一所述第一预定电压的位线的存储器存储单元的浮动沟道升压至一禁止编程的电压状态来对那些存储器存储单元实施编程禁止，并由来自所述第二预定电压的所述补偿来补偿因任一邻近的正编程存储器存储单元上的电压升高而引起的一干扰。