发明名称 | 用于光学邻近效应校正的多变量求解器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用于光学邻近效应校正的多变量求解器以及一种求解方法,其中本发明的方法遵循在掩模布局中的边缘片段的统一运动如何改变在所述布局中的控制点上的抗蚀剂图像值,以及如何同时确定针对在所述布局中的每个边缘片段的校正量。表示在掩模布局中的每个边缘片段的运动的统一效果的多求解器矩阵被用于同时确定针对在所述掩模布局中的每个边缘片段的校正量。 | ||
申请公布号 | CN101359170B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
申请号 | CN200810130216.4 | 申请日期 | 2008.06.16 |
申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | 威廉姆·S·翁;陈斌德;李江伟;西部达夫;陆颜文 |
分类号 | G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
主权项 | 一种求解针对在掩模布局中的边缘片段的校正的方法,包括:采用掩模布局模拟光刻过程,以产生第一模拟抗蚀剂图像;以预定量干扰在掩模布局中的每个边缘片段,以产生初始的被干扰的布局;采用初始的被干扰的布局模拟光刻过程,以产生第二模拟抗蚀剂图像;针对每个边缘片段确定在所述第一模拟抗蚀剂图像和所述第二模拟抗蚀剂图像之间的抗蚀剂图像差值;形成包括针对所有边缘片段的抗蚀剂图像差值的多求解器矩阵;采用所述多求解器矩阵的伪逆确定校正德尔塔矢量,其中所述校正德尔塔矢量包括针对每个边缘片段的校正德尔塔值;通过在校正德尔塔矢量中的对应校正德尔塔值干扰在被干扰的布局中的每个边缘片段,以形成其另一被干扰的布局;采用所述另一被干扰的布局模拟光刻过程,以产生第三模拟抗蚀剂图像;基于所述第三模拟抗蚀剂图像值针对每个边缘片段更新多求解器矩阵;以及采用被更新的多求解器矩阵的伪逆更新校正德尔塔矢量。 | ||
地址 | 荷兰维德霍温 |