一种半导体纳米晶/量子点在晶硅材料上的沉积生长方法

摘要

本发明公开了一种半导体纳米晶/量子点在晶硅材料上的沉积生长方法，由下列重量比物质组成：硫、硒、硫化物或硒化物1-100份；金属盐1-100份；溶剂100-500份；偶联剂1-10份；晶硅材料：硅片。以晶硅材料为基质，预先合成胶体量子点，加入偶联分子，结合旋涂、滴涂法以及浸渍提拉技术将胶体量子点连接到晶硅材料上。本发明产品物理化学性质非常稳定，长期暴露在空气中不会影响其光电转换效率。制备工艺简单易操作，容易工业应用，原料来源丰富，且价廉易得。

主权项

一种量子点的硅晶材料，其特征在于：由下列重量比物质组成：硫、硒、硫化物或硒化物 1‑100份；金属盐  1‑100份；溶剂  100‑500份；偶联剂  1‑10份；晶硅材料：硅片(硅电池片)。