形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法

摘要

本发明涉及集成电路制造领域，尤其是一种形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法，包括如下步骤：提供表面具有多个相同的晶体管的半导体衬底，所述多个相同的晶体管被金属与介电层的叠层所覆盖；于所述金属与介电层的叠层中形成多个电荷收集装置；于金属与介电层的叠层表面形成钝化层；于钝化层中形成钝化层窗口；测试所述半导体衬底表面的晶体管的电学特性；比较晶体管之间电学特性测试结果的差别，以评价形成钝化层窗口工艺中引入电荷对晶体管电学特性的影响。本发明的优点在于，通过制作电荷收集装置，并在部分的电荷收集装置的表面形成钝化层窗口，以测试形成钝化层窗口工艺中引入的电荷对晶体管电学性质的影响。

主权项

一种形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面布置有多个相同的晶体管，所述多个相同的晶体管被金属与介电层的叠层所覆盖；于所述金属与介电层的叠层中形成多个电荷收集装置，所述电荷收集装置由导电材料构成，每一个所述电荷收集装置电学连接至不同的晶体管的栅极；于金属与介电层的叠层表面形成钝化层，所述钝化层由绝缘材料构成，且覆盖所述多个电荷收集装置；于钝化层中形成钝化层窗口，所述钝化层窗口形成于电荷收集装置的上方，以暴露出部分所述电荷收集装置，此步骤中保留至少一个电荷收集装置的表面无钝化层窗口；测试所述半导体衬底表面的晶体管的电学特性；比较晶体管之间电学特性测试结果的差别，以评价形成钝化层窗口工艺中引入电荷对晶体管电学特性的影响。