发明名称 |
一种单层芯片超高压半导体整流器 |
摘要 |
本实用新型公开了一种单层芯片超高压半导体整流器,包括由区熔硅片扩散而成的单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,单层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。本实用新型的有益效果是:采用单层硅芯片,可以显著降低产品的正向压降,使产品自身的功耗降低,提高产品的可靠性;另一个优点是,可以提高装填工艺的效率,提高产品的合格率。 |
申请公布号 |
CN201975396U |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN201020563910.8 |
申请日期 |
2010.10.18 |
申请人 |
重庆平伟实业股份有限公司 |
发明人 |
王震 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种单层芯片超高压半导体整流器,其特征在于:包括由区熔硅片扩散而成的单层硅芯片、两铜引线、环氧塑封体,单层硅芯片位于两铜引线端面之间,通过焊料与铜引线焊接,硅橡胶将两铜引线端面间的多层硅芯片以及焊料层包裹在其中,而整个超高压半导体整流器除铜引线两端头外,其余部分均包裹在环氧树脂注塑成的塑封体内。 |
地址 |
400000 重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区 |