发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一结构能够在元件形成之后改变元件的特性值,以便防止制造成本增加和产品交货延迟。多个二极管串联连接。然后,通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言,二极管和布线并联连接,由此电流优先流入布线中,使得二极管可被认为是不存在的。然后,在一部分布线处切割布线,由此使在切割前并联连接至布线的二极管工作。
申请公布号 CN102187454A 申请公布日期 2011.09.14
申请号 CN200980141548.5 申请日期 2009.09.18
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 田所麻美;藤田雅史
分类号 H01L21/822(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H04B5/02(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 李玲
主权项 一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括以下步骤:形成一元件,在所述元件中串联连接的二极管群的一部分并联连接至布线;以及切割所述布线以调节所述元件的阈值电压。
地址 日本神奈川县
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