发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一结构能够在元件形成之后改变元件的特性值,以便防止制造成本增加和产品交货延迟。多个二极管串联连接。然后,通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言,二极管和布线并联连接,由此电流优先流入布线中,使得二极管可被认为是不存在的。然后,在一部分布线处切割布线,由此使在切割前并联连接至布线的二极管工作。 |
申请公布号 |
CN102187454A |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN200980141548.5 |
申请日期 |
2009.09.18 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
田所麻美;藤田雅史 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H04B5/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
一种用于制造半导体器件的方法,所述方法包括以下步骤:形成一元件,在所述元件中串联连接的二极管群的一部分并联连接至布线;以及切割所述布线以调节所述元件的阈值电压。 |
地址 |
日本神奈川县 |