| 发明名称 | 一种制作P型金属氧化物半导体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制作P型金属氧化物半导体的方法，包括：对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。通过本发明实施例提供的上述技术方案，在制作PMOS的过程中，通过再次注入N型离子中比磷离子原子量大一倍多的砷离子，从而使得硅片表面的离子浓度与传统工艺制作出的PMOS表面的离子浓度相比大很多，进而大大提高了源漏击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101770955B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200810247075.4 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李若加;谭志辉;黎智 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 郭润湘 |
| 主权项 | 一种制作P型金属氧化物半导体的方法，其特征在于，包括：对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||