| 发明名称 | 多层器件的电容耦合层 | ||
| 摘要 | 多层器件(100，200，300，400，500)，其包括电子器件层(104，204，304，404，504)、与该电子层(104，204，304，404，504)相关联的第一电极(110，210，410，510)、光学层(108，208，308，408，508)、与光学层(108，208，308，408，508)相关联的第二电极(112，212，412，512)和位于第一和第二电极之间的绝缘层(106，206，306，406，506)。该第一和第二电极相互电容耦合，从而通过第一和第二电极之间传输电信号而促进电子器件层(104，204，304，404，504)和光学层(108，208，308，408，508)之间的电通信。该电信号可以穿过绝缘层(106，206，306，406，506)而传输。此外，通过第一电极(110，210，410，510)和第二电极(112，212，412，512)的电容耦合，电子器件层(104，204，304，404，504)与光学层(108，208，308，408，508)之间可以互相进行电通信。 | ||
| 申请公布号 | CN101617574B | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN200880002010.1 | 申请日期 | 2008.01.10 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | T·I·卡明斯;D·斯图尔特;N·J·奎托里亚诺 |
| 分类号 | H05K3/46(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 一种多层器件(100，200，300，400，500)，包括：电子器件层(104，204，304，404，504)；第一电极(110，210，410，510)；光学层(108，208，308，408，508)；与所述光学层(108，208，308，408，508)相关联的第二电极(112，212，412，512)，以及设在所述第一和第二电极之间的绝缘层(106，206，306，406，506)，其中所述第一和第二电极互相电容耦合以通过穿过所述绝缘层在所述第一和第二电极之间传输电信号而促进所述电子器件层(104，204，304，404，504)和光学层(108，208，308，408，508)之间的电通信。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||