发明名称 |
太阳能电池 |
摘要 |
本发明提供一种太阳能电池。根据本发明的太阳能电池包含一半导体结构组合以及多个纳米复合结构。该半导体结构组合包含至少一p-n结面以及一用以吸收光线的照射面。该多个纳米复合结构形成于该半导体结构组合的该照射面上,并且每一个纳米复合结构包含一第一纳米层以及一第二纳米层。该第一纳米层形成于该照射面上。该第二纳米层形成于该第一纳米层上。特别地,该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率。 |
申请公布号 |
CN101651164B |
申请公布日期 |
2011.09.14 |
申请号 |
CN200810147010.2 |
申请日期 |
2008.08.12 |
申请人 |
昆山中辰硅晶有限公司 |
发明人 |
叶哲良;徐文庆;何思桦 |
分类号 |
H01L31/052(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/052(2006.01)I |
代理机构 |
上海翰鸿律师事务所 31246 |
代理人 |
李佳铭 |
主权项 |
一种太阳能电池,该太阳能电池包含:一半导体结构组合,该半导体结构组合包含一硅基板、至少一p‑n结面、一表面钝化层,以及一用以吸收光线的照射面;以及多个纳米复合结构,该多个纳米复合结构形成于该半导体结构组合的该照射面上,每一个纳米复合结构包含:一第一纳米层,该第一纳米层形成于该照射面上;以及一第二纳米层,该第二纳米层形成于该第一纳米层上;其中该第一纳米层的折射率大于该第二纳米层的折射率,该表面钝化层供使由光产生的载子发生表面重合的机率减低,且该多个纳米复合结构彼此间的间距小于射入光线的四分之一个波长。 |
地址 |
215300 江苏省昆山市高新技术园汉浦路303号 |