用于制造半导体的设备

摘要

本发明提供一种半导体装置制造设备，其包含：腔室，其包含反应空间；衬底安置单元，其经配置以在所述腔室内安置衬底；第一加热单元，其经配置以用光学方式加热所述反应空间且安置在所述腔室下方；第二加热单元，其经配置以通过电阻性加热来加热所述反应空间且安置在所述腔室上方；以及等离子体产生单元，其经配置以在所述反应空间中产生等离子体。由于所述设备使用安置在所述腔室上方的所述等离子体产生单元产生所述等离子体，所以可在一单个腔室中同时执行基于加热的沉积工艺和基于等离子体的蚀刻工艺。

主权项

一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包括：腔室，其包含反应空间；衬底安置单元，其经配置以在所述腔室内安置衬底；第一加热单元，其经配置以用光学方式加热所述反应空间且安置在所述腔室下方；第二加热单元，其经配置以通过电阻性加热来加热所述反应空间且安置在所述腔室上方；以及等离子体产生单元，其经配置以在所述反应空间中产生等离子体。