| 发明名称 | 相变存储材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料为硅-铋-碲的化合物，化学通式为SixBiyTe100-(x+y)，其中，10<x<90，0<y<50。相较于现有技术，所述相变存储材料结构简单、晶粒小、加热效率高、功耗低、器件存储速度快以及结晶温度高、热稳定性好和数据保持力强等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102185106A | 申请公布日期 | 2011.09.14 |
| 申请号 | CN201110103185.5 | 申请日期 | 2011.04.22 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 许建安;饶峰;宋志棠;刘波;吴良才 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料为硅‑铋‑碲的化合物，化学通式为SixBiyTe100‑(x+y)，其中，10＜x＜90，0＜y＜50。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||