一种氮化物LED结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氮化物LED结构，其多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度梯度变化，从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中，提高了载流子在有源区中分布的均匀性，进一步提高了器件的内量子效率和发光效率；同时，还公开了一种氮化物LED结构的制备方法，通过梯度改变多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度，使得靠近P型空穴注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度大，靠近N型电子注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度小，从而使空穴载流子更加易于输运到靠近N型电子注入层的量子阱中，提高了载流子在有源区中分布的均匀性，进一步提高了器件的内量子效率和发光效率。

主权项

一种氮化物LED结构，至少包括N型电子注入层、P型空穴注入层以及夹在所述N型电子注入层与所述P型空穴注入层之间的多量子阱有源层，其特征在于，所述多量子阱有源层中的量子阱的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度梯度变化，靠近P型空穴注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度大，靠近N型电子注入层的势垒宽度和/或势垒的禁带宽度小。