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一种决定曝光量的方法，该方法藉一能量束曝光机书写一图案以决定该曝光量，此系藉由曝光相对的点至具有一预定能量的能量束上而逐点写成，该方法包括下列步骤：决定一曝光和一非曝光区，一曝光边界系介于该曝光和该非曝光区之间；决定该曝光区内之一目标剂量，使得该曝光区之一特定部位可获得一预定能量沉积；以及局部增加该目标剂量，其中，于该曝光区域之一边缘区域内，和相邻于该曝光边界之该边缘区域，将该目标剂量局部增加至一数值，以于该边缘区域内得到高于该预定能量沉积之一能量沉积，该边缘区域之该能量沈积取决于该边缘区域之大小。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该能量束系包括粒子和质子。如申请专利范围第2项所述之方法，其中该能量束系包括带电粒子。如申请专利范围第3项所述之方法，其中该带电粒子系由包含有离子和电子的群中选取。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该边缘区域之宽系小于或等于1μm，该宽系相关于该曝光边界垂直地测量。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该边缘区域之宽系小于500nm。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该边缘区域的宽系小于150nm。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该边缘区域的宽系小于25nm。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该边缘区域的宽系小于5nm。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该方法更包括下列步骤：局部决定该目标剂量，于该曝光区中相邻于该边缘区域之一中间区域内，使该目标剂量局部地减少至一值。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该方法更包括下列步骤：局部决定该目标剂量，于该曝光区中相邻于该边缘区域之一中间区域内，使该目标剂量局部地增加至一值。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该中间区域有一小于或等于240nm之宽，该宽系相关于该曝光边界垂直地测量。如申请专利范围第12项所述之方法，其中该中间区域有一小于100nm的宽。如申请专利范围第13项所述之方法，其中该中间区域有一小于50nm的宽。如申请专利范围第14项所述之方法，其中该中间区域有一小于5nm的宽。如申请专利范围第12项至第15项中之任一项所述之方法，其中能量的关系如下：Ec≦Ei<Eo；其中，Ei表示沉积于该中间区域之该能量，Ec代表清除完全显影该光阻材料所需之该剂量，能量束使该光阻材料曝光，Eo则代表位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区内的预定能量沉积。如申请专利范围第10项所述之方法，其中能量的关系如下：Ec≦Ei<Eo；其中，Ei表示沉积于该中间区域之该能量，Ec代表清除完全显影该光阻材料所需之该剂量，能量束使该光阻材料曝光，Eo则代表位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区内的预定能量沉积。如申请专利范围第11项所述之方法，其中能量的关系如下：Ec≦Ei<Eo；其中，Ei表示沉积于该中间区域之该能量，Ec代表清除完全显影该光阻材料所需之该剂量，能量束使该光阻材料曝光，Eo则代表位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区内的预定能量沉积。如申请专利范围第1项或第10项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。如申请专利范围第5项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。如申请专利范围第10项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。如申请专利范围第11项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。如申请专利范围第16项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。如申请专利范围第17项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。如申请专利范围第18项所述之方法，其中能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em代表该边缘区域之该能量沉积，Eo表示位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的预定能量沉积。一种曝光装置，包括：一能量束制造单元，系发出一能量束，藉由曝光该相对的点于具有预定能量之能量束，该能量束系用以逐点界定一基板上光阻材料的一图案；一剂量控制单元，用以控制该基板所曝光的剂量；一偏斜单元，系用以使该能量束偏斜；一基板架，系用以支撑该基板；一能量束控制单元，系用以控制该能量束的产生；一偏斜控制单元，系用以控制该偏斜单元；以及一界面控制单元，系接合于装置上，以控制该剂量控制单元，该剂量控制单元系对应于来自一电子计算机的数据，该数据依位置决定一曝光量，该曝光量包括一目标剂量，以于该曝光区域之一特定位置中，获取一预定能量沉积，该界面控制单元系局部增加照射区域之边缘区域的目标剂量，该边缘区域系相邻一照射范围，该照射范围介于该照射区域和一非照射区域，该目标剂量系增至一值，以使边缘区域获得大于该预定能量沉积之一能量沉积，该边缘区域之该能量沈积取决于该边缘区域之大小。如申请专利范围第26项所述之曝光装置，其中该能量束包括粒子或质子。如申请专利范围第27项所述之曝光装置，其中该能量束包括带电粒子。如申请专利范围第28项所述之曝光装置，其中该带电粒子由包含离子和电子的群中选出。如申请专利范围第26项所述之曝光装置，其中该界面控制单元接合于上，以于该照射区域之一中间区域局部减少该目标剂量至一值，且该中间区域系相邻于该边缘区域。如申请专利范围第30项所述之曝光装置，其中能量关系如下：Ec≦Ei<Eo；Ei表示沉积于该中间区域之该能量，Ec代表清除完全显影该光阻材料所需之该剂量，能量束使该光阻材料曝光，Eo则代表位于该边缘区域和该中间区域之照射区域外之曝光区的该预定能量沉积。如申请专利范围第26项至第29项及第31项中之任一项所述之曝光装置，其中该界面控制单元接合于上，以局部增加该目标剂量，能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em表示沉积于该边缘区域之该能量，且Eo代表沉积在位于该边缘区域和该中间区域外的曝光区域内之该预定能量。如申请专利范围第30项所述之曝光装置，其中该界面控制单元接合于上，以局部增加该目标剂量，能量关系如下：Eo<Em≦10×Eo；其中，Em表示沉积于该边缘区域之该能量，且Eo代表沉积在位于该边缘区域和该中间区域外的曝光区域内之该预定能量。 |
