| 主权项 |
一种不同厚度的闸氧化层的制造方法，包括：提供一基底，该基底具有一第一元件区以及一第二元件区；在该基底上形成一第一闸氧化层；进行一第一湿式蚀刻制程，移除该第二元件区之部分该第一闸氧化层；进行一第二湿式蚀刻制程，移除该第二元件区之残留的该第一闸氧化层，其中该第二湿式蚀刻制程的蚀刻率小于该第一湿式蚀刻制程的蚀刻率；以及在该第二元件区之该基底上形成一第二闸氧化层，其中该第二闸氧化层的厚度小于该第一闸氧化层的厚度。如申请专利范围第1项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该基底更包括一第三元件区。如申请专利范围第2项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，更包括：在进行该第一湿式蚀刻制程，移除该第二元件区之部分该第一闸氧化层时，同时移除该第三元件区之部分该第一闸氧化层；在进行该第二湿式蚀刻制程，移除该第二元件区之残留的该第一闸氧化层时，同时移除该第三元件区之残留的该第一闸氧化层；以及在该第三元件区之该基底上形成一第三闸氧化层，其中该第三闸氧化层的厚度介于该第一闸氧化层与该第二闸氧化层的厚度之间。如申请专利范围第3项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第三闸氧化层的形成方法包括热氧化法或化学气相沈积法。如申请专利范围第2项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第一元件区、该第二元件区与该第三元件区为用于不同电压操作之元件区。如申请专利范围第1项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第一湿式蚀刻制程包括使用一缓冲氧化物蚀刻剂，而该第二湿式蚀刻制程包括使用一稀释氢氟酸。如申请专利范围第6项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该缓冲氧化物蚀刻剂为HF/NH4F以20：1的比例以及水混合而成的溶液。如申请专利范围第6项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该稀释氢氟酸为HF/H2O以1：10的比例混合而成的溶液。如申请专利范围第1项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第一元件区与该第二元件区之间的该基底中具有一元件隔离结构。如申请专利范围第9项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该元件隔离结构包括浅沟渠隔离结构或场氧化层。如申请专利范围第1项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第一闸氧化层的形成方法包括热氧化法或化学气相沈积法。如申请专利范围第1项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第二闸氧化层的形成方法包括热氧化法或化学气相沈积法。一种不同厚度的闸氧化层的制造方法，包括：提供一基底，该基底具有一高电压元件区以及一低电压元件区；在该基底上形成一高电压闸氧化层；进行一第一湿式蚀刻制程，移除该低电压元件区之部分该高电压闸氧化层；进行一第二湿式蚀刻制程，移除该低电压元件区之残留的该高电压闸氧化层，其中该第二湿式蚀刻制程的蚀刻率小于该第一湿式蚀刻制程的蚀刻率；以及在该低电压元件区之该基底上形成一低电压闸氧化层。如申请专利范围第13项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该第一湿式蚀刻制程包括使用一缓冲氧化物蚀刻剂，而该第二湿式蚀刻制程包括使用一稀释氢氟酸。如申请专利范围第14项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该缓冲氧化物蚀刻剂为HF/NH4F以20：1的比例以及水混合而成的溶液。如申请专利范围第14项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该稀释氢氟酸为HF/H2O以1：10的比例混合而成的溶液。如申请专利范围第13项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该高电压元件区与该低电压元件区之间的该基底中具有一元件隔离结构。如申请专利范围第17项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该元件隔离结构包括浅沟渠隔离结构或场氧化层。如申请专利范围第13项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该高电压闸氧化层的形成方法包括热氧化法或化学气相沈积法。如申请专利范围第13项所述之不同厚度的闸氧化层的制造方法，其中该低电压闸氧化层的形成方法包括热氧化法或化学气相沈积法。 |
