| 主权项 |
一种铜核层多层封装基板之制作方法，系至少包含下列步骤：(A)提供一铜核基板；(B)分别于该铜核基板之第一面上形成一第一阻层，以及于该铜核基板之第二面上形成一完全覆盖状之第二阻层，于其中，该第一阻层上并形成复数个第一开口；(C)于复数个第一开口下方形成复数个第一凹槽；(D)移除该第一阻层及该第二阻层；(E)于复数个第一凹槽内形成一第一电性阻绝层；(F)于该铜核基板之第一面与该第一电性阻绝层上形成一第一介电层及一第一金属层；(G)于该第一金属层与该第一介电层上形成复数个第二开口，并显露部分之铜核基板第一面；(H)于复数个第二开口中及该第一金属层上形成一第二金属层；(I)分别于该第二金属层上形成一第三阻层，以及于该铜核基板之第二面上形成一完全覆盖状之第四阻层，于其中，该第三阻层上并形成复数个第三开口；(J)移除该第三开口下方之第二金属层及第一金属层，并形成一第一线路层；(K)移除该第三阻层及该第四阻层。至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接之单层增层线路基板，并可选择直接进行步骤(L)或步骤(M)；(L)于该单层增层线路基板上进行一置晶侧与球侧线路层制作，于其中，在该第一线路层表面形成一第一防焊层，并且在该第一防焊层上系形成复数个第四开口，以显露该第一线路层作为电性连接垫之部分，接着于该铜核基板之第二面上形成一第五阻层，并且在该第五阻层上系形成复数个第五开口，之后再分别于复数个第四开口中形成一第一阻障层，以及于第五开口中形成一第二阻障层，最后移除该第五阻层；以及(M)于该单层增层线路基板上进行一线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层表面形成一第二介电层，并且在该第二介电层上系形成复数个第六开口，以显露部分之第一线路层，接着于该第二介电层与复数个第六开口表面形成一第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成一第六阻层，以及于该铜核基板之第二面上形成一完全覆盖状之第七阻层，并于该第六阻层上形成复数个第七开口，以显露部分之第一晶种层，之后于该第七开口中已显露之第一晶种层上形成一第三金属层，最后移除该第六阻层、该第七阻层及该第一晶种层，以在该第二介电层上形成一第二线路层。至此，完成一具有铜核基板支撑并具电性连接之双层增层线路基板。并可继续本步骤(M)增加线路增层结构，形成具更多层之封装基板，亦或直接至该步骤(L)进行置晶侧与球侧线路层制作。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该铜核基板系为一不含介电层材料之铜板。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该第一~七阻层系以贴合、印刷或旋转涂布所为之乾膜或湿膜之高感光性光阻。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，复数个第一、三、五及七开口系以曝光及显影之方式形成。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该步骤(C)形成复数个第一凹槽、该步骤(J)移除该第一、二金属层及该步骤(M)移除该第一晶种层之方法系可为蚀刻。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该第一~七阻层之移除方法系可为剥离。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该第一电性阻绝层系以直接压合或印刷之方式形成。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该第一电性阻绝层及该第一、二介电层系可为防焊绿漆、环氧树脂绝缘膜(Ajinomoto Build-up Film,ABF)、苯环丁烯(Benzocyclo-buthene,BCB)、双马来亚醯胺-三氮杂苯树脂(Bismaleimide Triazine,BT)、环氧树脂板(FR4、FR5)、聚醯亚胺(Polyimide,PI)、聚四氟乙烯(Poly(tetra-floroethylene),PTFE)或环氧树脂及玻璃纤维所组成之一者。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该步骤(E)第一电性阻绝层系可与步骤(F)第一介电层同时进行压合或印刷之方式形成。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该步骤(F)系以直接压合该第一介电层及该第一金属层于其上，或系采取贴合该第一介电层后，再形成该第一金属层。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，复数个第二、六开口系可先做开铜窗(Conformal Mask)后，再经由雷射钻孔之方式形成，亦或系以直接雷射钻孔(LASER Direct)之方式形成。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该第二、三金属层及该第一晶种层之形成方式系可为无电电镀或电镀。依据申请专利范围第1项所述之铜核层多层封装基板之制作方法，其中，该第一、二阻障层系可为电镀镍金、无电镀镍金、电镀银或电镀锡中择其一。 |
