发明名称 半导体装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.09.11
申请号 TW096103248 申请日期 2007.01.29
申请人 夏普股份有限公司 发明人 住之江信二
分类号 H01L27/14;H01L23/488 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼;林宗宏 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置,其特征在于包含:基板,其具有电极垫;半导体元件,其搭载于上述基板上;及外部连接端子,其形成于上述电极垫上,且与上述半导体元件电性连接;且上述外部连接端子包含由具有弹性之材质构成之芯材,于该芯材之外侧具有金属层;配置上述外部连接端子之电极垫系形成于较搭载有上述半导体元件之基板之面相反侧的面更接近搭载有上述半导体元件之基板之面的位置上;配置上述外部连接端子之电极垫系形成于阶差部,该阶差部形成于搭载有上述半导体元件之基板之外缘部。如请求项1之半导体装置,其中上述芯材包含杨氏系数为0.5 GPa以上10 GPa以下之材质。如请求项1之半导体装置,其中上述芯材具有耐热性。如请求项1之半导体装置,其中上述金属层包含复数层,该复数层之最外层为焊锡层。如请求项1之半导体装置,其中对安装半导体装置之安装基板所具有之一个电极垫,连接复数个上述外部连接端子。如请求项1之半导体装置,其中上述半导体元件包含光学元件。如请求项6之半导体装置,其中进而包含保护上述半导体元件之盖体。如请求项7之半导体装置,其中上述盖体包括配置于上述半导体元件侧方之侧壁与配置于上述半导体元件上方之面板;且上述面板之至少一部分包含透光性材质。如请求项7之半导体装置,其中藉由上述基板与上述盖体而形成气密空间。如请求项9之半导体装置,其中于上述气密空间之内部填充有氮气或者惰性气体。如请求项10之半导体装置,其中上述气密空间之内部压力低于大气压。
地址 日本