具有薄膜电阻电容网路之光感测阵列

主权项

一种用于一显示装置中的光感测装置，该光感测装置包含：一感光电晶体，系形成于该显示装置的一基板上，该感光电晶体能够感测一光信号，并转换该光信号成为一电流信号；以及一转换器，系形成于该显示装置的该基板上，该转换器能够接收在一第一导线上的电流信号，并转换该电流信号成为一电压信号，该转换器包含：一第一阻抗装置，该第一阻抗装置耦合于该第一导线与一基准电压线之间，其中该第一阻抗装置包含一第一电晶体，该第一电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，与耦合于该基准电压线之一源极；以及一第一电容装置，该第一电容装置并联耦合于该第一导线与该基准电压线之间的该第一阻抗装置。如申请专利范围第1项之光感测装置，其中该感光电晶体包括耦合于一第二导线之一闸极，耦合于该第二导线之一汲极，与耦合于该第一导线之一源极，该第一导线与该第二导线彼此形式上正交。如申请专利范围第1项之光感测装置，更包含能够驱动该感光电晶体之一开关电晶体。如申请专利范围第3项之光感测装置，其中该开关电晶体包括一闸极，系电性连接于该显示装置之开关电晶体之至少一者的一闸极。如申请专利范围第3项之光感测装置，其中该开关电晶体包括耦合于该第二导线之一闸极，与耦合于该第一导线之一源极，该第一导线与该第二导线彼此形式上正交。如申请专利范围第5项之光感测装置，其中该感光电晶体包括耦合于一电压源的一闸极，耦合于该电压源之一汲极，与耦合于该开关电晶体之一汲极的一源极。如申请专利范围第3项之光感测装置，其中该开关电晶体包括耦合于该第二导线之一闸极，与耦合于一电压源之一汲极，该第二导线与该第一导线彼此形式上正交。如申请专利范围第7项之光感测装置，其中该感光电晶体包括耦合于该开关电晶体之该源极的一闸极，耦合于该开关电晶体之该源极的一汲极，与耦合于该第一导线之一源极。如申请专利范围第1项之光感测装置，更包含一电路，该电路能够接收来自该转换器之电压信号，并基于该电压信号转换及决定一光来源的位置。如申请专利范围第9项之光感测装置，其中该第一阻抗装置包括电气耦合于该第一导线之一第一金属区域，电气耦合于该基准电压线之一第二金属区域，以及定义于该第一金属区域与该第二金属区域之间的一第一非晶矽区域。如申请专利范围第10项之光感测装置，其中该转换器更包含一电晶体，该电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，及耦合至该电路之一源极。如申请专利范围第11项之光感测装置，其中该转换器更包含一第二阻抗装置，该第二阻抗装置包含电气耦合于该电晶体源极的一第三金属区域，电气耦合于该基准电压线之一第四金属区域，以及定义在该第三金属区域与该第四金属区域之间的一第二非晶矽区域。如申请专利范围第1项之光感测装置，其中该转换器更包含一第二电晶体，该第二电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，及耦合至该电路之一源极。如申请专利范围第13项之光感测装置，其中该转换器更包含一第三电晶体，该第三电晶体包含耦合于该第二电晶体之源极之一闸极，耦合于该第二电晶体之源极之一汲极，与耦合于该基准电压线之一源极。一种用于一显示装置中的光感测装置，该光感测装置包含：复数条第一导线，该等第一导线彼此平行延伸；复数条第二导线，该等第二导线彼此平行延伸，并形式上正交于该等复数条第一导线；一感光电晶体阵列，该感光电晶体阵列系由复数个感光电晶体所组成，并形成于该显示装置的一基板上，该等感光电晶体中之每一个电晶体系置于靠近该等复数条第一导线之一与该等复数条第二导线之一，并能够感测一光信号，且转换该光信号成为一电流信号；以及一转换器阵列，该转换器阵列系由复数个转换器所组成，并形成于该显示装置的该基板上，该转换器中每一个皆能够接收在该等第一导线之一之上的电流信号，转换该电流信号成为一电压信号，并包含：一第一阻抗装置，该第一阻抗装置耦合于该第一导线与一基准电压线之间，其中该第一阻抗装置包含一第一电晶体，该第一电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，与耦合于该基准电压线之一源极；以及一第一电容装置，该第一电容装置并联耦合于该第一导线与该基准电压线之间的该第一阻抗装置。如申请专利范围第15项之光感测装置，更包含一电路，该电路能够接收来自该等转换器中每一个之电压信号，并基于该电压信号转换及决定一光来源的位置。如申请专利范围第16项之光感测装置，其中该电路包括一多工器，该多工器能够自该等转换器中的一个选择一电压信号。如申请专利范围第17项之光感测装置，其中该电路包括一放大器电路，该放大器电路能够放大来自该多工器之一电压信号，以及一类比到数位转换器，用于转换该电压信号成为一数位信号。如申请专利范围第18项之光感测装置，其中该电路包括一处理器，该处理器能够基于该数位信号计算一光来源的座标。如申请专利范围第18项之光感测装置，其中该第一阻抗装置包括电气耦合于该第一导线之一第一金属区域，电气耦合于该基准电压线之一第二金属区域，以及定义于该第一金属区域与该第二金属区域之间的一第一非晶矽区域。如申请专利范围第20项之光感测装置，其中该等转换器中之每一个更包含一电晶体，该电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，及耦合至该电路之一源极。如申请专利范围第21项之光感测装置，其中该等转换器中之每一个更包含一第二阻抗装置，该第二阻抗装置包含电气耦合于该电晶体源极的一第三金属区域，电气耦合于该基准电压线之一第四金属区域，以及定义在该第三金属区域与该第四金属区域之间的一第二非晶矽区域。如申请专利范围第15项之光感测装置，其中该等转换器中之每一个更包含一第二电晶体，该第二电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，及耦合至该电路之一源极。如申请专利范围第23项之光感测装置，其中该等转换器中之每一个更包含一第三电晶体，该第三电晶体包含耦合于该第二电晶体之源极之一闸极，耦合于该第二电晶体之源极之一汲极，与耦合于该基准电压线之一源极。一种用于一显示装置中的光感测装置，该光感测装置包含：一感光电晶体，系形成于该显示装置的一基板上，该感光电晶体能够感测一光信号，并转换该光信号成为一电流信号；一开关电晶体，系形成于该显示装置的该基板上，该开关电晶体能够驱动该感光电晶体，并置于靠近一第一导线与一第二导线之交会处，该第一导线与该第二导线彼此形式上正交；以及一转换器，系形成于该显示装置的该基板上，该转换器能够接收在该第一导线上的电流信号，并转换该电流信号成为一电压信号，该转换器包含：一第一阻抗装置，该第一阻抗装置耦合于该第一导线与一基准电压线之间，其中该第一阻抗装置包含一第一电晶体，该第一电晶体包含耦合于该第一导线之一闸极，耦合于该第一导线之一汲极，与耦合于该基准电压线之一源极；以及一第一电容装置，该第一电容装置并联耦合于该第一导线与该基准电压线之间的该第一阻抗装置。如申请专利范围第25项之光感测装置，其中该开关电晶体包括一闸极，系电性连接于该显示装置之开关电晶体之至少一者的一闸极。如申请专利范围第25项之光感测装置，其中该开关电晶体包括耦合于该第二导线之一闸极与耦合于该第一导线之一源极。如申请专利范围第27项之光感测装置，其中该感光电晶体包括耦合于一电压源之一闸极，耦合于该电压源之一汲极，与耦合于该开关电晶体之汲极之源极。如申请专利范围第25项之光感测装置，其中该开关电晶体包括耦合于该第二导线之一闸极与耦合于该电压源之一汲极。如申请专利范围第29项之光感测装置，其中该感光电晶体包括耦合于该开关电晶体之源极的一闸极，耦合于该开关电晶体之源极的一汲极，与耦合于该第一导线之一源极。