| 主权项 |
一种用以形成一半导体装置之方法，包括：提供一半导体基板；在该半导体基板上方形成一绝缘层；在该绝缘层上方形成一传导层；在该传导层上方形成一有机抗反射涂层ARC；在该有机抗反射涂层上方沈淀一四乙基原矽酸盐TEOS层；在该TEOS层上方沈淀一光阻层；及图案化该光阻层以形成一经图案化之光阻结构。如请求项1之方法，其中该有机ARC层包括非晶系碳。如请求项1之方法，其中该有机ARC层沈淀为约300至700埃厚度之间。如请求项1之方法，其中在摄氏约250至350度之温度间形成该TEOS层于该有机ARC层上。如请求项1之方法，其中在约摄氏350度或低于摄氏350度之温度间形成该TEOS层于该有机ARC层上。如请求项1之方法，其中该TEOS层为约200及300埃厚度。如请求项1之方法，进一步包括侧面地修整该经图案化之光阻结构以减少该经图案化之光阻结构之侧面尺寸。如请求项7之方法，进一步包括自该经图案化之光阻结构周围移除该TEOS层之至少一部分。如请求项8之方法，进一步包括自该经图案化之光阻结构周围移除该有机ARC层之至少一部分以制造一图案化堆叠。如请求项9之方法，进一步包括自该图案化堆叠周围移除该传导层以制造一闸电极于该图案化堆叠下。如请求项10之方法，进一步包括移除该图案化堆叠。如请求项1项之方法，其中使用具有248奈米或低于248奈米波长之光以完成该图案化。如请求项1之方法，其中该传导层包括多晶矽。如请求项13之方法，进一步包括：形成侧壁间隔于一闸电极上；及扩散源极/汲极区至基板中。一种半导体装置，其包括：一半导体基板；在该半导体基板上方形成之一绝缘层；在该绝缘层上方形成之一传导层；在该传导层上方形成之一有机抗反射涂层ARC；一低温四乙基原矽酸盐TEOS层，其系在该有机ARC层上方之氧化矽；及在该TEOS层上方形成之一经图案化之光阻层；其中该TEOS层之特性包含：不含氮；不易受光阻污染影响；黏着至设计用于一193奈米微影之光阻；黏着至该下方之有机ARC层；具有在193奈米微影与该有机ARC层组合之抗反射性质；若移除该经图案化之光阻，可再加工；及稳定。如请求项15之半导体装置，其中该有机ARC层包括非晶系碳。如请求项15之半导体装置，其中该有机ARC层为约300至700埃厚度之间。如请求项15之半导体装置，其中该低温TEOS层为约200及300埃厚度。如请求项15之半导体装置，其中该经图案化之光阻层用以形成一金属氧化半导体电晶体之一闸电极。如请求项15之半导体装置，其中该传导层包括多晶矽。 |
