| 主权项 |
一种微电子装置，其包含：一基材，其包括一聚合物发展层；一被动结构，其被嵌埋在该基材中且包括：一下导电层，其覆盖在该聚合物发展层上；一介电层，其覆盖在该下导电层上；一上导电层，其覆盖在该介电层上；一导电通孔，其延伸穿过该被动结构的一部分；一绝缘物质，其让该导电通孔与该上导电层及该下导电层绝缘；及一平面的(planar)桥接互连线，其具有一平面的部分，该平面的部分被直接设置在该上导电层上且与之邻接而且直接位在该导电通孔上，该桥接互连线将该导电通孔电连接至该上导电层。如申请专利范围第1项之微电子装置，其中：该上导电层为一上电极层；该介电层为一电容器介电层；该下导电层为一下电极层；该上电极层，该电容器介电层及该下电极层的组合形成在该基材中的一被嵌设的电容器结构。如申请专利范围第2项之微电子装置，其更包含一包围该导电通孔的侧壁之绝缘套，该绝缘物质为该绝缘套的一部分。如申请专利范围第3项之微电子装置，其中该桥接互连线覆盖在该通孔与该上电极层之上。如申请专利范围第1项之微电子装置，其中该桥接互连线为一具有一平的部分之平的桥接互连线，该平面的部分系直接设置在该上导电层上且与之邻接且直接设置在该导电通孔上。如申请专利范围第2项之微电子装置，其中该导电通孔为一上电极导电通孔，该装置进一步包含一下电极导电通孔，其延伸穿过该电容器介电层，连接至该下电极层，且与该上电极层绝缘。如申请专利范围第2项之微电子装置，其中该电容器介电层包括一陶瓷介电物质。如申请专利范围第3项之微电子装置，其中该陶瓷介电物质系选自于由钛酸锶，钛酸钡锶，及/或钛酸钡组成的组群中。如申请专利范围第8项之微电子装置，其中该基材为一有机基材。如申请专利范围第9项之微电子装置，其中该基材包括包含醯胺-三氮杂苯(Bismaleimide-Triazine)树脂的芯材。一种被动微电子结构，其被设计来嵌埋于一基材中，该结构包含：一未被图案化的下电极层；一未被图案化的电容器介电层，其覆盖在该下电极层上；一未被图案化的上电极层，其覆盖在该电容器介电层上；及在该结构上的基准线，其被设计来在嵌埋期间容许该结构在该基材内的定位。如申请专利范围第11项之被动微电子结构，其中该电容器介电层包括一陶瓷介电物质。如申请专利范围第12项之被动微电子结构，其中该陶瓷介电物质系选自于由钛酸锶，钛酸钡锶，及/或钛酸钡组成的组群中。一种制造一微电子装置的方法，其包含：提供一被动微电子结构，其包括：一未被图案化的下电极层；一未被图案化的电容器介电层，其覆盖在该下电极层上；及一未被图案化的上电极层，其覆盖在该电容器介电层上；将该被动结构嵌埋在该基材内；在嵌埋之后将该被动结构图案化。如申请专利范围第14项之制造一微电子装置的方法，其更包含：提供一导电通孔，其延伸穿过该聚合发展层并与该下导电层电绝缘；提供一绝缘物质，其让该导电通孔与该下导电层绝缘；及提供一桥接互连线，其被设置在该上导电层之远离该介电层的一侧上，该桥接互连线将该导电通孔电连接至该上导电层。如申请专利范围第14项之制造一微电子装置的方法，其中提供一导电通孔包含将该上电极图案化用以形成一可将该电容器介电层的一部分曝露出的开口。如申请专利范围第16项之制造一微电子装置的方法，其中提供一导电通孔更包含：将该电容器介电层与该下电极层图案化用以形成一可将该聚合物发展层的一部分曝露出来的开口；提供一通孔开口，其由该聚合物发展层的该部分延伸穿过该聚合物发展层到达该基材之底下的导电结构；用一导电物质填入该通孔开口用以提供该导电通孔；将该导电物质图案化用以将该导电通孔与该下电极层隔离。如申请专利范围第17项之制造一微电子装置的方法，其中：该聚合物发展层为一第一聚合物发展层；及提供该绝缘物质包含提供一第二聚合物发展层于该上电极层之上，使得来自该第二聚合物发展层的物质被设置来让该导电通孔与该下电极层绝缘。如申请专利范围第16项之制造一微电子装置的方法，其中提供一绝缘物质包含：提供一绝缘通孔开口，其由该电容器介电层的该部分延伸穿过该电容器介电层且穿过聚合物发展层到达该基材的一底下的导电结构；及用该绝缘物质填入该绝缘通孔开口内；及提供一导电通孔进一步包含：提供一导电通孔开口其延伸穿过该绝缘物质到达该底下的导电结构，提供该导电通孔开口包含留下一绝缘套于该绝缘通孔开口内；及用以导电物质填入该导电通孔开口内用以产生该导电通孔。如申请专利范围第18项之制造一微电子装置的方法，其中该通孔开口为一第一通孔开口且该导电通孔为一第一导电通孔，该方法进一步包含：提供一第二通孔开口，其延伸穿过该第二聚合物发展层到达该导电通孔；提供一第三通孔开口，其延伸穿过该第二聚合物发展层朝向该第一导电通孔；用一导电物质填入该第二通孔开口用以形成一连接至该第一导电通孔的第二导电通孔；用一导电物质填入该第三通孔开口用以形成一连接至该上电极层的第三导电通孔，其中提供一桥接互连线包含提供一导电物质层其覆盖在该第二聚合物发展层上并让该第二通孔与该第三通孔彼此相连接。如申请专利范围第15项之制造一微电子装置的方法，其中该导电通孔为一上电极导电通孔，该方法进一步包含提供一下电极导电通孔，其延伸穿过该电容器介电层，连接至该下电极层，且与上电极层绝缘。如申请专利范围第14项之制造一微电子装置的方法，其中该电容器介电层包括一陶瓷介电物质。如申请专利范围第22项之制造一微电子装置的方法，其中该陶瓷介电物质系选自于由钛酸锶，钛酸钡锶，及/或钛酸钡组成的组群中。如申请专利范围第14项之制造一微电子装置的方法，其中该基材为一有机基材。如申请专利范围第24项之制造一微电子装置的方法，其中该基材包括包含醯胺-三氮杂苯(Bismaleimide-Triazine)树脂的芯材。一种系统，其包含：一电子组件，其包括：一微电子装置，其包含：一基材，其包括一聚合物发展层；一被动结构，其被嵌埋在该基材中且包括：一下导电层，其覆盖在该聚合物发展层上；一介电层，其覆盖在该下导电层上；一上导电层，其覆盖在该介电层上；一导电通孔，其延伸穿过该被动结构的一部分；一绝缘物质，其让该导电通孔与该上导电层及该下导电层绝缘；及一平面的桥接互连线，其具有一平面的部分，该平面的部分被直接设置在该上导电层上且与之邻接而且直接位在该导电通孔上，该桥接互连线将该导电通孔电连接至该上导电层；及一主要记忆体，其耦接至该电子组件。如申请专利范围第26项的系统，其更包含一包围该导电通孔的侧壁之绝缘套，该绝缘物质为该绝缘套的一部分。如申请专利范围第26项的系统，其中该桥接互连线为一具有一平的部分之平的桥接互连线，该平面的部分系直接设置在该上导电层上且与之邻接且直接设置在该导电通孔上。一种微电子装置，其包含：一基材，其包括一聚合物发展层；一被动结构，其被嵌埋在该基材中且包括：一下导电层，其覆盖在该聚合物发展层上；一介电层，其覆盖在该下导电层上；一上导电层，其覆盖在该介电层上；一第一导电通孔，其延伸穿过该被动结构的一第一部分；一第二导电通孔，其延伸穿过该被动结构的一第二部分，该第二导电通孔与该上导电层绝缘且被电连接至该下导电层；一绝缘材料，其将该第一导电通孔与该上导电层及该下导电层绝缘；及一平面的桥接互连线，其具有一平面的部分，该平面的部分被直接设置在该上导电层上且与之邻接而且直接位在该导电通孔上，该桥接互连线的一第一部分将该第一导电通孔电连接至该上导电层。 |
