| 摘要 |
Сверхвысокочастотный (СВЧ) биполярный транзистор р-n-р типа, содержащий коллекторную область на основе p+ - типа монокристаллической кремниевой подложки, эпитаксиальный р- типа кремниевый слой, диффузионную тонкую n-типа область, диффузионную p+ - типа эмиттерную область и металлические контакты к активным областям транзистора, отличающийся тем, что коллекторная и базовая области сверхвысокочастотного биполярного р-n-р транзистора выполнены из соединений галлия и мышьяка на основе p+ - монокристаллической подложки коллектора, последовательных эпитаксиальных слоев p+ - р - р- - типа коллектора, эпитаксиального i - слоя с проводимостью, близкой к собственной, n - типа, n+ - типа тонких эпитаксиальных слоев базовой области, а эмиттерная область выполнена из последовательного гетерофазного эпитаксиального р - р+ - типа эмиттера на основе соединений алюминия, галлия, мышьяка. |
