处理气流的方法

摘要

本发明描述了一种用于处理来自多晶硅蚀刻过程的废气的方法，该方法采用等离子消除装置用以处理气体。该装置包括具有用于接收气体的气体入口以及气体出口的不锈钢气室。由于气体可包含卤代化合物和水蒸气，故气室被加热至抑制在气室内的表面上吸收水的温度，由此抑制气室的腐蚀。然后气体被传向气室以便处理，而气室温度维持在处理气体时的所述温度以上。

主权项

一种处理包含变化的量的卤代化合物以及水蒸气的气体的方法，所述方法包括步骤：提供等离子消除装置，所述等离子消除装置包括具有用于接收所述气体的气体入口以及气体出口的气室，将所述气室加热至抑制在所述气室内的不锈钢表面上吸收水的温度，向所述气室传送所述气体以便在所述气室内对其处理，其中在处理所述气体期间将所述气室维持在120摄氏度至180摄氏度的范围内。