发明名称 |
封装的金属电阻器 |
摘要 |
本方法提供了一种半导体结构和用于形成该结构的方法,其保护在结构内形成的电阻性层免受来自相邻层的污染的影响。通过把电阻性层封装在抗拒污染物扩散的材料中,有可能在制造该结构所需的处理期间保护电阻性材料。 |
申请公布号 |
CN101632174B |
申请公布日期 |
2011.09.07 |
申请号 |
CN200780047348.4 |
申请日期 |
2007.10.17 |
申请人 |
美国亚德诺半导体公司 |
发明人 |
伯纳德·P·斯滕松;埃蒙·海因斯;威廉·莱恩 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 |
代理人 |
张颖玲;武晨燕 |
主权项 |
一种多层半导体结构,包括形成为所述结构内的中间层的金属膜电阻性层,所述电阻性层被封装在阻挡材料内,所述阻挡材料保护所述电阻性层不受来自相邻层的污染物的扩散的影响;其中所述电阻性层在所述阻挡材料内的封装限定了叠层,所述叠层被设置在第一金属互连层和第二金属互连层之间,在所述叠层与第一金属互连层之间以及所述叠层与第二金属互连层之间分别设置有金属间电介质层。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |