| 发明名称 | 基于硅基散热的LED封装结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于硅基散热的LED封装结构，它由带凹槽的硅衬底、垂直结构的LED芯片、P电极金属层、焊接金属层、SiO2绝缘层和N电极组成；本发明还公开了基于前述结构的硅基散热的大功率多芯片LED封装结构及其制作方法。本发明的有益技术效果是：本发明结构无需在热沉（即硅衬底）背面加工通孔，简化了工艺，底面可直接装焊到金属散热板上；本发明的结构具有热阻低、成本低、易于维护的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102176503A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN201110052198.4 | 申请日期 | 2011.03.04 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 发明人 | 张靖;王培界 |
| 分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人 | 侯懋琪 |
| 主权项 | 一种基于硅基散热的LED封装结构，其特征在于：它由带凹槽（1‑2）的硅衬底（1）、垂直结构的LED芯片（2）、P电极金属层（3）、焊接金属层（4）、SiO2绝缘层（5）和N电极（6）组成；凹槽（1‑2）的槽壁（1‑2‑1）为斜壁；凹槽（1‑2）的槽底（1‑2‑2）尺寸等于或大于垂直结构的LED芯片（2）的横截面面积；SiO2绝缘层（5）覆盖于硅衬底（1）上表面，焊接金属层（4）覆盖于硅衬底（1）下表面；P电极金属层（3）覆盖于SiO2绝缘层（5）表面且为部分覆盖，P电极金属层（3）所覆盖的区域将凹槽（1‑2）所在区域完全覆盖；N电极（6）设置在未被P电极金属层（3）覆盖的SiO2绝缘层（5）表面，N电极（6）与P电极金属层（3）不接触；垂直结构的LED芯片（2）设置在凹槽（1‑2）槽底（1‑2‑2）处的P电极金属层（3）上，垂直结构的LED芯片（2）的上端面与N电极（6）之间通过引线(7)连接。 | ||
| 地址 | 400065 重庆市南岸区南坪花园路14号 | ||