一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法

摘要

本发明公开了一种制造第一基板及在制造过程中回收第二基板的方法。该第二基板为该第一基板的异质基板。根据本发明制造该第一基板的方法包括：首先制备一第二基板；接着，形成一缓冲层于该第二基板上；之后，形成一半导体材料层于该缓冲层上。该缓冲层辅助该半导体材料层的形成，并且作为一剥离层。最后，该制造方法通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该第二基板脱离该半导体材料层，其中该半导体材料层作为第一基板。

主权项

一种制造第一基板的方法，该方法包含下列步骤：制备一第二基板；通过一原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)制程形成一缓冲层于该第二基板上；形成一半导体材料层于该缓冲层上，该缓冲层辅助该半导体材料层的形成并且该缓冲层作为一剥离层；以及通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层并使该半导体材料层、该第二基板保持完整，以使该第二基板脱离该半导体材料层，其中该半导体材料层作为该第一基板。