| 发明名称 | 大等离子体处理室所用的射频回流路径 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种方法及设备，其具有在等离子体处理系统内连接基材支撑件至腔室壁的低阻抗射频回流路径。在一个实施例中，处理腔室包含腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由该腔室侧壁支撑的盖组件，基材支撑件，设置在该腔室主体的处理区域内，遮蔽框架，设置在该基材支撑组件的边缘上，以及射频回流路径，具有连接至该遮蔽框架的第一端及连接至该腔室侧壁的第二端。 | ||
| 申请公布号 | CN102177769A | 申请公布日期 | 2011.09.07 |
| 申请号 | CN200980140428.3 | 申请日期 | 2009.10.09 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 约翰·M·怀特;崔寿永;卡尔·A·索赖瑟恩;约瑟夫·库德拉;白宗薰;志坚·杰瑞·陈;史蒂芬·麦克丰森;罗宾·L·迪纳 |
| 分类号 | H05H1/34(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H05H1/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 一种处理腔室，其包含：腔室主体，其具有界定处理区域的腔室侧壁、底部及由所述腔室侧壁所支撑的盖组件；基材支撑件，设置在所述腔室主体的处理区域内；遮蔽框架，设置在所述基材支撑组件的边缘上；以及射频回流路径，具有连接至所述遮蔽框架的第一端及连接至所述腔室侧壁的第二端。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||