| 主权项 |
一种晶片与胶膜剥离方法，其系包括有下列步骤：(a)提供一晶圆，其系黏着于一胶膜上，该晶圆具有复数个晶片；(b)移动欲剥离之晶片至一定位上，并固定该晶片；以及(c)藉由一作用力，使该胶膜以环状且由外向内脱离该欲剥离之晶片。如申请专利范围第1项所述之晶片与胶膜剥离方法，其中该作用力系为由一真空负压所产生之作用力。一种晶片与胶膜剥离方法，其系包括有下列步骤：(a)提供一晶圆，其系黏着于一胶膜上，该晶圆具有复数个晶片；(b)移动欲剥离之晶片至一剥离装置上；(c)固定该欲剥离之晶片，并提供一作用力于该胶膜上；以及(d)使该剥离装置以环形且由外向内逐渐脱离与该欲剥离之晶片相黏着之胶膜，以使该作用力逐渐作用于与该欲剥离之晶片相黏着之胶膜上，而使该胶膜逐渐脱离该欲剥离之晶片。如申请专利范围第3项所述之晶片与胶膜剥离方法，其中该作用力系为由一真空负压所产生之作用力。如申请专利范围第3项所述之晶片与胶膜剥离方法，其系更包括有下列步骤：(e)当该胶膜与该欲剥离装置呈现线接触时，取出该欲剥离之晶片；以及(f)再回到步骤(b)重复执行步骤(b)至(f)。一种晶片与胶膜剥离装置，其系用以剥离一晶片底部之一薄膜，该晶片与胶膜剥离装置包括：一承载座体，其系具有一容置空间，该承载座体之上表面具有一开孔以及复数个负压孔，该开孔系与该容置空间相连通；一剥离单元，其系设置于该容置空间内，该剥离单元之一端具有一接触部，其系延伸出该容置空间而容置于该开孔内，该接触部内更开设有一第一通孔；一底座体，其系设置于该容置空间内，该底座体具有一顶柱，该顶柱系可通过该第一通孔；至少一子剥离单元，其系设置于该剥离单元内，该子剥离单元之顶部具有一子接触部，其系容置于该第一通孔内，该子接触部之内部更开设有一第二通孔以提供该顶柱通过；以及一第一弹性体，其套设于该顶柱上，该第一弹性体之一端系与该剥离单元相邻靠而另一端系与该底座体相邻靠；其中，藉由提供一真空负压由该复数个负压孔提供一作用力于该晶片底部之薄膜上，使得晶片边角之薄膜预先剥离，接着拉动该剥离单元向下移动，使得原先于该剥离单元上方之薄膜受到真空负压所产生之该作用力之作用，而使得晶片下方之薄膜脱离该晶片，接着带动该子剥离单元下降，使得该子剥离单元脱离该晶片下方，进而使得真空负压产生之作用力于该薄膜上，使得原先与该子剥离单元相接触之薄膜也脱离晶片。如申请专利范围第6项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该剥离单元之两侧更连接有一板体。如申请专利范围第7项所述之晶片与胶膜剥离装置，其系更具有一拉杆，其系与该剥离单元两侧之板体相扣合，以提供一作用力于该剥离单元上。如申请专利范围第8项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该拉杆更具有：一杆体；以及一凹形体，其系与该杆体之一端相连接，该凹形体之两侧分别具有一凹槽，以分别与该板体相扣合。如申请专利范围第6项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该底座体之两端更分别开设有一导引通孔。如申请专利范围第10项所述之晶片与胶膜剥离装置，其系更具有一位置调整部，包括：一固定座，其系设置于该底座体之一侧，该固定座上更具有一调整通孔；一对导杆，其系与该固定座相连接，该对导杆系分别通过该导引通孔，使该底座体可于该对导杆上滑动；一调整螺，其系与该调整通孔相偶接，该调整螺之一端系与该底座体相抵靠；以及一第三弹性体，其系设置于该容置空间内，该第三弹性体系以一端与该底座体相抵靠而以另一端与该承载座体之内壁相抵靠。如申请专利范围第6项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该承载座体之表面上更具有复数个负压凹槽，与该复数个负压孔相连接。如申请专利范围第6项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该剥离单元之两侧分别具有一第一固定通孔。如申请专利范围第13项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该顶柱上更具有一固定杆，其两端系分别通过该第一固定通孔。如申请专利范围第14项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中，该子剥离单元之两侧分别具有一第二固定通孔以提供该固定杆通过。如申请专利范围第6项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该子剥离单元与该底座体之间更具有一第二弹性体。如申请专利范围第6项所述之晶片与胶膜剥离装置，其中该顶柱之顶端系为一圆弧面。 |
