| 主权项 |
一种记忆体，包括：复数个记忆体单元；一写入线，其用以写入一资料值于该等复数个单元中；一电晶体，其耦合至该写入线以用以控制该写入线中电流，该电晶体具有一耦合至该写入线之第一终端，一耦合至一供应电压之第二终端及一控制电极；一第一切换电路，其具有一耦合至该电晶体之该控制电极之第一终端，及一耦合至一参考电压电路之第二终端，该参考电压电路系用以提供一用于在记忆体之一写入操作期间控制通过该写入线之电流量的参考电压，其中该第一切换电路回应一时序信号及一启用信号而具有一传导状态或一非传导状态；一电容器，其具有一耦合至该电晶体之第二电流电极之第一电极，及一耦合至该第一切换电路之该第二终端之第二电极；及一第二切换电路，其耦合于该第一切换电路之该第二终端与该参考电压电路之间，该第二切换电路回应该时序信号及该启用信号而具有一传导状态。如请求项1之记忆体，尚包括：一第二切换电路，其具有一耦合至该电晶体之该控制电极之第一终端，及一耦合至具有一电压位准之电压源极之第二终端，促使当该第二切换电路处于传导状态时，该电晶体为非传导状态，其中该第二切换电路回应该时序信号及该启用信号而具有一传导状态。如请求项2之记忆体，其中该第一切换电路系传导状态，该第二切换电路系非传导状态，及其中当该第一切换电路系非传导状态时，该第二切换电路系传导状态。如请求项1之记忆体，其中该参考电压电路包括一电流源及一连接至串联耦合至该电流源之电晶体之二极体。如请求项4之记忆体，其中该参考电压电路尚包括一耦合至该第二终端之缓冲电路。如请求项1之记忆体，其中该电晶体包括一连接至该写入线之第一电流终端，及一连接至一电压源极之第二电流终端。如请求项1之记忆体，其中当该电晶体被启用以传导一写入电流时，该电晶体在饱和模式中操作。如请求项1之记忆体，其中该写入线提供电流至复数个记忆体单元，以产生一磁场，其用以写入一资料值至该等复数个记忆体单元中。 |
