相变化存储桥

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法。此处所描述的存储元件的实施例包括了一导电位线以及多个第一电极。此存储元件也包括了多个绝缘构件，该绝缘构件具有一介于对应的一第一电极与一部分作为一第二电极的该位线之间的一厚度。此存储元件更包括了一存储材料桥阵列，其具有至少两个固态相，该桥接触各自的第一电极且延伸通过对应的绝缘构件至该位线。该桥定义一介于相对应的第一电极与位线之间的电极间路径且由该绝缘构件的该厚度来定义。

主权项

一种存储装置，其特征在于，该存储装置包括：一导电位线；多个第一电极；多个绝缘构件，该绝缘构件具有一介于对应的一第一电极与一部分作为一第二电极的该位线之间的一水平厚度；一存储材料桥阵列，该桥水平接触各自的第一电极且延伸通过对应的绝缘构件至该位线，该桥位于该导电位线与对应的该第一电极的上方，且该桥定义一介于相对应的第一电极与位线之间的电极间路径且由该绝缘构件的该水平厚度来定义，其中该存储材料具有至少两个固态相。