| 发明名称 | 半导体器件用基板、半导体器件装置、设计系统、制造方法以及设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有用于形成半导体器件的器件用薄膜、包围器件用薄膜且阻挡器件用薄膜的前体结晶生长的阻挡部、通过前体牺牲生长为结晶而形成的牺牲生长部的半导体器件用基板，其具备在器件用薄膜的周边被阻挡部隔开而设置的牺牲生长部和覆盖牺牲生长部的上部且露出器件用薄膜的上部的保护膜。保护膜可以是聚酰亚胺。 | ||
| 申请公布号 | CN102171792A | 申请公布日期 | 2011.08.31 |
| 申请号 | CN200980138964.X | 申请日期 | 2009.10.01 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 高田朋幸;秦雅彦;山中贞则 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体器件用基板，具有：器件用薄膜，用于形成半导体器件；阻挡部，其包围所述器件用薄膜，且阻挡所述器件用薄膜的前体结晶生长，牺牲生长部，是由所述前体牺牲生长为结晶而形成的牺牲生长部，其由所述阻挡部隔开而设置在所述器件用薄膜的周边。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||