射频金属-氧化物-半导体场效应晶体管

摘要

本发明提供了射频MOS管，以提高射频MOS管的工作速度及降低其射频MOS管栅极寄生电阻导致的噪声恶化以及可靠性；该射频MOS管包括：源极、漏极和栅极，衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。

主权项

一种射频金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极、漏极、栅极和衬底，所述栅极由子栅和连接子栅的侧栅构成，其特征在于，还包括连接源极及源端的源金属层、连接漏极及漏端的漏金属层和连接侧栅及栅输入端的侧栅金属层，其中源金属层覆盖并延伸出源极，其在有源区的投影与漏极和子栅无交叠；漏金属层覆盖并延伸出漏极，其在有源区的投影与源极和子栅无交叠；侧栅金属层覆盖并延伸出侧栅，其在有源区的投影与源极和漏极无交叠；以及源金属层、漏金属层及栅金属层中，由相同层金属形成的部分无交叉。