发明名称 一种P型高锰硅热电材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种高锰硅热电材料的制备方法。一种P型高锰硅热电材料的制备方法,它包括如下步骤:1)以Mn粉和Si粉为原料,按Si粉与Mn粉的摩尔比=1.70~1.85∶1混合,在压片机上压成块状,得到块体;2)将得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼,冷却后得到合金块体;3)采用单辊急冷法,首先将得到的合金块体装入单辊急冷设备中,利用高频感应方式将其熔融;4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带,得到高锰硅化合物薄带材料;5)将得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末,对粉末进行放电等离子体烧结,得到P型高锰硅热电材料。本发明成本低廉、工艺简单,工艺参数容易控制,所制备的材料性能高,具有很高的商业应用前景。
申请公布号 CN101692479B 申请公布日期 2011.08.31
申请号 CN200910272326.9 申请日期 2009.09.29
申请人 武汉理工大学 发明人 唐新峰;罗文辉;林泽冰;杜保立
分类号 H01L35/34(2006.01)I 主分类号 H01L35/34(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 唐万荣
主权项 一种P型高锰硅热电材料的制备方法,它包括如下步骤:1)以Mn粉和Si粉为原料,按Si粉与Mn粉的摩尔比=1.70~1.85∶1混合,混合均匀后在压片机上压成块状,得到块体;所述的Mn粉、Si粉的纯度均≥99.9%(质量);2)将步骤1)中得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼,冷却后得到合金块体;3)采用单辊急冷法,首先将步骤2)中得到的合金块体装入单辊急冷设备中,利用高频感应方式将其熔融;4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带,甩带处理时铜辊的线速度为10~40m/s,氩气喷射压力为0.02~0.06MPa,得到高锰硅化合物薄带材料;5)将步骤4)中得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末,对粉末进行放电等离子体烧结,得到P型高锰硅热电材料。
地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号