改善InGaN量子阱的In组分均匀性的外延生长方法

摘要

本发明公开了一种改善InGaN量子阱的In组分均匀性的外延生长方法，是在生长InGaN量子阱的初始阶段使TEGa或TMIn的流量高出常规正常生长流量，然后再跳变陡降或逐渐渐变到常规正常生长流量生长InGaN阱层；或者是先通入一定量的TMIn，然后按常规正常生长流量通入TEGa和TMIn生长InGaN量子阱；在一个InGaN量子阱生长结束后，中断后续生长，使过多的In原子从量子阱表面挥发，以保证量子阱沿生长方向In组分更均匀。本发明通过简单的改变生长源的流量或者通入的先后顺序就能大大改善量子阱内的In组分分布，量子阱的开始阶段In组分即达到InGaN量子阱中的平均组分，使量子阱的上下界面更陡峭，制作的LED发光半峰宽大大改善，强度得到提高。

主权项

一种改善InGaN量子阱的In组分均匀性的外延生长方法，其特征是：是在生长InGaN量子阱的前20秒内使三乙基镓或三甲基铟的流量高出常规正常生长流量的10％‑80％，然后再变到常规正常生长流量；或者是在以常规正常生长流量通入三乙基镓和三甲基铟之前，先以常规正常生长流量通入三甲基铟20秒；在一个InGaN量子阱生长结束后，停止通入三乙基镓和三甲基铟，使后续生长中断一段时间，使过多的In原子从量子阱表面挥发掉，以保证量子阱沿生长方向In组分更均匀，常规正常生长流量是指60umol/min。