摘要 |
<p>Vorrichtung zum Behandeln, insbesondere Beschichten eines Substrates (12) mit einer Prozesskammer (1), mit mindestens einer mit der Prozesskammer (1) über eine Beladeöffnung (6, 7) verbundenen Bevorratungskammer (2, 3) zur Bevorratung in der Prozesskammer (11) zu behandelnder Substrate (12) bzw. bei der Behandlung zu verwendenden Masken (10, 10', 10", 10'"), mit einer Fördereinrichtung (13) zum Be- und Entladen der Prozesskammer (11) durch die Beladeöffnung (7) mit Substraten bzw. Masken (10, 10', 10", 10'"), mit einem temperierbaren Gaseinlassorgan (4) zum Einleiten eines Ausgangsstoffes zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer (1), einem dem Gaseinlassorgan (4) gegenüberliegenden Suszeptor (5) zur Aufnahme eines zu behandelnden Substrates (12), mit einer Schirmplatte (11), die in einer Abschirmstellung zwischen Gaseinlassorgan (4) und Suszeptor (5) bzw. einer Maske (10) liegt, um das Substrat (12) bzw. die Maske (10) gegen eine Temperaturbeeinflussung vom Gaseinlassorgan (4) abzuschirmen, mit einer Schirmplattenverlagerungseinrichtung (15, 16), um die Schirmplatte (11) vor dem Behandeln des Substrates (12) aus der Abschirmstellung vor dem Gaseinlassorgan (4) in einer Bevorratungsstellung zu verlagern und nach dem Behandeln des Substrates (12) die Schirmplatte (11) aus der Bevorratungsstellung zurück in die Abschirmstellung zu verlagern. Wesentlich ist, dass sich die Schirmplatte (11) in der Bevorratungsstellung innerhalb einer der Bevorratungskammern (2, 3) befindet.</p> |
申请人 |
AIXTRON SE;STRAUCH, GERHARD KARL;FRANKEN, WALTER;KOLLBERG, MARCEL;KITTEL, FLORENZ;GERSDORFF, MARKUS;KAEPPELER, JOHANNES |
发明人 |
STRAUCH, GERHARD KARL;FRANKEN, WALTER;KOLLBERG, MARCEL;KITTEL, FLORENZ;GERSDORFF, MARKUS;KAEPPELER, JOHANNES |