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Ein NOR-Flash-Speicherbauteil, aufweisend: ein Gate auf einem Halbleitersubstrat (10), wobei das Gate aufweist: erste Polysilizium-Muster (32), die voneinander durch einen bestimmten Zwischenraum beabstandet sind und Floating Gates bereitstellen, und die eine Wortleitung ausbilden; ein dielektrischer Film (40) in einer Wortleitungsform auf den ersten Polysilizium-Mustern (32) und dem Halbleitersubstrat (10) zwischen den ersten Polysilizium-Mustern (32), und ein zweites Polysilizium-Muster (60) in einer Wortleitungsform, das auf dem dielektrischen Film (40) ausgerichtet ist und ein Control-Gate für die Floating-Gates bildet; eine Vielzahl an Elektroden (18) in einer Bitleitungsform, wobei jede Elektrode (18) in dem Halbleitersubstrat (10) an dem Zwischenraum zwischen den benachbarten ersten Polysilizium-Mustern (32) vorgesehen ist; und Kontakte für die Vielzahl an Elektroden (18), wobei die Kontakte an einem Endgebiet bei jeder Elektrode (18) vorgesehen sind, wobei der dielektrische Film (40) eine Oxid-Nitrid-Oxid Schicht mit einem Stapel aus einer ersten Oxidschicht (42), einer Nitridschicht...
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