ZnSe纳米光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过原位掺杂实现n型掺杂，以及利用光刻、电子束和脉冲激光沉积工艺制备源漏电极，从而制得ZnSe纳米光电探测器。本发明探测器中感光层采用n-型掺杂的ZnSe纳米线，能有效增强纳米光电探测器的电信号，提高其开关比；其制备方法简单，能使ZnSe纳米线平行排布，从而增加感光面积，进一步提高电信号。

主权项

一种ZnSe纳米光电探测器，其结构层自下而上依次为绝缘衬底(3)、感光层(2)和电极(1)，其特征是所述感光层为n‑型掺杂的ZnSe纳米线。