用以使穿过衬底的过孔侧壁及其它深蚀刻特征部光滑的后蚀刻反应等离子体研磨

摘要

一种利用反应等离子体研磨使蚀刻特征部的侧壁光滑化的方法。该光滑化方法降低侧壁凹坑的深度，而侧壁凹坑是造成特征部壁表面上的粗糙度的原因。该方法包括以下步骤：从含硅特征部的内表面及外表面去除残留的聚合材料，并且在以脉冲RF功率使含硅特征部偏压的同时，利用从源气体产生的反应等离子体对含硅特征部的内表面进行处理。该源气体包含惰性气体以及会与硅发生反应的反应剂。该方法提供了内表面上约500纳米或更小的凹坑深度。

主权项

一种对含硅特征部的内表面进行反应等离子体研磨以产生光滑表面的方法，其包括以下步骤：从所述硅特征部的内表面和外表面去除残留的聚合材料；以及在以脉冲RF功率使所述含硅特征部偏压的同时，利用从含有惰性气体以及会与硅发生反应的反应剂的源气体所产生的反应等离子体对所述含硅特征部的内表面进行处理。