| 发明名称 | 用于形成钌金属覆盖层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。 | ||
| 申请公布号 | CN102165573A | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200980138541.8 | 申请日期 | 2009.09.29 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 水野茂;弗兰克·M·切里奥;石坂忠大 |
| 分类号 | H01L21/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体器件的方法，其包括如下步骤：在等离子体处理室中的衬底支架上设置图案化衬底，所述图案化衬底包括形成于低k电介质材料中的凹入特征和位于所述凹入特征上的底部处的第一金属化层；用由包括NH3的第一处理气体在所述等离子体处理室中形成的NHx(x≤3)自由基和H自由基处理所述图案化衬底；在所述第一金属化层上形成第一钌(Ru)金属覆盖层；在所述凹入特征中、包括在所述低k电介质材料上和在所述第一Ru金属覆盖层上沉积阻挡层；和用铜(Cu)金属填充所述凹入特征。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||