| 发明名称 | 半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的刻蚀方法和金属互连层的形成方法，其中所述半导体结构的刻蚀方法包括：提供半导体基底，所述基底上具有图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述基底进行等离子刻蚀，所述等离子刻蚀工艺至少采用三种碳氟化合物为刻蚀气体；去除所述光刻胶层，形成半导体结构。采用本发明提供的半导体结构的刻蚀方法，能够有效的改善刻蚀形成的沟槽的线边缘粗糙。采用本发明提供的能够有效的改善刻蚀形成的沟槽的线边缘粗糙，形成线边缘平直的金属互连层，进而改善半导体器件的击穿电压特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101640174B | 申请公布日期 | 2011.08.24 |
| 申请号 | CN200810117504.6 | 申请日期 | 2008.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 赵林林 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种半导体结构的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述基底上具有图案化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜对所述基底进行等离子刻蚀，所述等离子刻蚀工艺采用三种碳氟化合物为刻蚀气体，所述三种碳氟化合物为：CF4、CHF3和C4F8，通过调整所述CF4、CHF3和C4F8三种碳氟化合物的流量比为20∶1∶1，以在沟槽侧壁形成侧壁聚合物，在光刻胶层上形成顶部聚合物；去除所述光刻胶层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||