发明名称 可控碳含量的含硅陶瓷和制备方法
摘要 本发明提供了一种可控碳含量的含硅陶瓷和制备方法,即有机硅烷前驱体在含有水汽的气氛中热解成陶瓷。含碳重量百分比1~15%;有机硅烷前驱体包括以Si-O、Si-N或Si-C为主链或骨架结构的有机聚合物,在600℃-1500℃加热,陶瓷产率至少为50%的有机硅前驱体;该有机硅烷前驱体可为一种或几种的混合。在前驱体热解过程中水能有效与含碳基团和自由碳反应,从而避免了单质碳在前驱体陶瓷中的沉积,形成无自由碳前驱体陶瓷材料。提高产率的同时,能够抑制块体开裂。本发明是一种合成低碳陶瓷的方法,能够提高材料性能。
申请公布号 CN101215154B 申请公布日期 2011.08.24
申请号 CN200810052105.6 申请日期 2008.01.18
申请人 天津大学 发明人 李亚利;梁田;杜贺宝;侯峰;谯晓花
分类号 C04B35/14(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I 主分类号 C04B35/14(2006.01)I
代理机构 天津市杰盈专利代理有限公司 12207 代理人 赵敬
主权项 一种可控碳含量的含硅陶瓷,其特征在于它是以有机硅烷前驱体为原料在含有水汽条件下对其加热热解制备而成,含碳重量百分比1~15%;所述的有机硅烷前驱体包括以Si‑O、Si‑N或Si‑C为主链或骨架结构的有机聚合物的一种或几种的混合物,热解陶瓷产率至少50%;其制备方法包括如下的步骤:将有机硅烷前驱体加入反应器中,通入惰性气体或活性气体,在温度高于100℃,向体系中通入水汽,水汽分压比0.01~0.5,热解温度600~1500℃。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号