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一种生产无引线封装件的冲压式引线框的方法，该封装件至少具有晶粒座、框架、连接晶粒座和框架的拉杆、复数引线，该方法包括以下步骤：于上冲模与下冲模之间夹持至少一根引线的第一局部和第二局部，上冲模与下冲模具有一阶梯部，且上冲模之阶梯部的提升端缘相对齐于下冲模之该阶梯部的提升端缘；且透过上冲模与下冲模之阶梯部，使得该至少一根引线的第二局部相对于第一局部剪切弯曲一段距离，而使得第二局部相对于第一局部错位，该距离小于第一局部的厚度，该错位如此完成，以便于第二局部平行地连接到第一局部并相对于第一局部移位。如申请专利范围第1项所述的方法，该方法包含有以下步骤：控制该至少一根引线的第二局部的移位，以便于第一局部和第二局部的厚度被维持。如申请专利范围第1项所述的方法，其中，该至少一根引线的第二局部被剪切弯曲一段距离，该距离是在第一局部的厚度的1/4到3/4之间。如申请专利范围第1项所述的方法，其中，该至少一根引线的第二局部的剪切弯曲产生相邻于第一局部和第二局部的凹部，该凹部具有垂直于第一局部和第二局部的表面的侧壁。如申请专利范围第1项所述的方法，该方法还包含有以下步骤：夹持至少一根拉杆的第一局部和第二局部，并使得该至少一根拉杆的第二局部相对于其该至少一根拉杆的第一局部剪切弯曲一段距离，该距离小于该至少一根拉杆的第一局部的厚度，该剪切如此完成以致于该至少一根拉杆的第二局部平行地连接到该至少一根拉杆的第一局部，并相对于该至少一根拉杆的第一局部移位。如申请专利范围第5项所述的方法，其中，该至少一根拉杆的第一局部包含有分离的区段，该至少一根拉杆的第二局部设置在该分离的区段之间的中间区段处，该分离区段在剪切步骤中被剪切弯曲。如申请专利范围第5项所述的方法，该方法还包含有以下步骤：模塑引线框，以便于模塑之后该至少一根拉杆的第一局部的表面被露出。如申请专利范围第1项所述的方法，该方法还包含有以下步骤：夹持晶粒座的第一局部和第二局部，并使得晶粒座的第二局部相对于其第一局部剪切弯曲一段距离，该距离小于晶粒座的第一局部的厚度，该剪切如此完成以致于晶粒座之第二局部平行地连接到晶粒座之第一局部，并相对于晶粒座之第一局部移位。如申请专利范围第1项所述的方法，该方法还包含有以下步骤：模塑引线框，以便于模塑之后晶粒的表面和该至少一根引线的第一局部的表面被露出。一种引线框，该引线框包含有：晶粒座、框架、连接晶粒座和框架的拉杆，以及复数引线，每根引线包含有第一局部和第二局部，引线的第二局部平行地连接到第一局部，并被剪切弯曲与第一局部一致，且第二局部相对于第一局部移位一段距离，该距离小于第一局部的厚度。如申请专利范围第10项所述的引线框，其中，引线的第一局部和第二局部具有相同的厚度。如申请专利范围第10项所述的引线框，其中，引线的第二局部从第一局部处被剪切弯曲一段距离，该距离是在第一局部的厚度的1/4到3/4之间。如申请专利范围第10项所述的引线框，该引线框包含有：凹部，其相邻于第一局部和第二局部，该凹部具有垂直于第一局部和第二局部的表面的侧壁。如申请专利范围第10项所述的引线框，其中，每一根拉杆包含有第一局部和第二局部，拉杆的第二局部连接到第一局部，并相对于其第一局部移位元一段距离，该距离小于拉杆的第一局部的厚度。如申请专利范围第14项所述的引线框，其中，拉杆的第一局部包含有分离的区段，拉杆的第二局部设置在它们之间的中间区段处，该中间区段相对于拉杆的第一局部的分离区段移位。如申请专利范围第14项所述的引线框，其中：在模塑之后拉杆的第一局部的表面设置为露出。如申请专利范围第10项所述的引线框，其中，晶粒座包含有第一局部和第二局部，该晶粒座的第二局部平行地连接到第一局部，并相对于第一局部移位元一段距离，该距离小于晶粒座的第一局部的厚度。如申请专利范围第10项所述的引线框，其中：在模塑之后晶粒座的表面和引线之第一局部的表面设置为露出。一种用于积体电路晶粒的封装件，该封装件包含有：积体电路晶粒；封装件主体，其由灌封材料形成，该灌封材料覆盖所述的晶粒；复数引线，其中，每根引线具有第一局部和第二局部，每一该引线的第二局部平行地连接到第一局部，并被剪切弯曲与第一局部一致，且每一该引线之第二局部相对于第一局部移位一段距离，该距离小于第一局部的厚度；以及导电体，其连接于晶粒和引线的第二局部之间；其中，晶粒座的表面和引线的第一局部的表面暴露在同一平面上。一种用于制造复数的灌封积体电路晶粒封装件的引线框结构，其包含有：复数的相互连接的金属框架，其以矩阵形式布置；位于每个框架内并通过拉杆和每个框架的内缘相连的晶粒座；复数引线，其和每个框架的内缘相连，其中每一该引线包含有第一局部和第二局部，每一该引线的第二局部平行地连接到第一局部，并被剪切弯曲与第一局部一致，且每一该引线之第二局部，相对于第一局部移位一段距离，该距离小于第一局部的厚度。 |
