| 主权项 |
一种电源切换电路，包括：一位准偏移器(Level Shift)，用以根据一控制信号输出一第一输出信号及一第二输出信号；一第一反相器，用以根据该第一输出信号输出一第一反相输出信号；一第二反相器，用以根据该第二输出信号输出一第二反相输出信号，该第一反相输出信号与该第二反相输出信号实质上系互不重叠(Overlap)；一输出电路，用以根据该第一反相输出信号及该第二反相输出信号选择性地输出一第一电压位准或一第二电压位准。如申请专利范围第1项所述之电源切换电路，其中该第一反相器包括：一第一P型电晶体，具有一第一导电参数；以及一第一N型电晶体，系耦接至该第一P型电晶体，并具有一第二导电参数，该第一导电参数与该第二导电参数系不相同。如申请专利范围第2项所述之电源切换电路，其中当该第一电压位准或该第二电压位准大于零时，该第一导电参数系大于该第二导电参数。如申请专利范围第2项所述之电源切换电路，其中当该第一电压位准或该第二电压位准小于等于零时，该第二导电参数系大于该第一导电参数。如申请专利范围第1项所述之电源切换电路，其中该第二反相器包括：一第二P型电晶体，具有一第三导电参数；以及一第二N型电晶体，系耦接至该第二P型电晶体，并具有一第四导电参数，该第三导电参数与该第四导电参数系不相同。如申请专利范围第5项所述之电源切换电路，其中当该第一电压位准或该第二电压位准大于零时，该第三导电参数系大于该第四导电参数。如申请专利范围第5项所述之电源切换电路，其中当该第一电压位准或该第二电压位准小于等于零时，该第四导电参数系大于该第三导电参数。如申请专利范围第1项所述之电源切换电路，其中该第一反相器系为互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)反相器。如申请专利范围第1项所述之电源切换电路，其中该第二反相器系为互补式金属氧化物半导体反相器(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverter)。如申请专利范围第1项所述之电源切换电路，其中该输出电路包括一拉升(Pull Up)电晶体及一拉降(Pull Down)电晶体，该拉升电晶体及该拉降电晶体分别根据该第一反相输出信号及该第二反相输出信号选择性地输出该第一电压位准或该第二电压位准。如申请专利范围第10项所述之电源切换电路，其中该拉升电晶体及该拉降电晶体系为P型电晶体。如申请专利范围第11项所述之电源切换电路，其中该拉降电晶体之第一端用以接收该第一电压位准，该拉降电晶体之控制端系耦接至该第一反相器之输出端，当该拉降电晶体被致能时，该第一电压位准系经该拉降电晶体之第二端输出。如申请专利范围第11项所述之电源切换电路，其中该拉升电晶体之第一端用以接收该第二电压位准，该拉升电晶体之控制端系耦接至该第二反相器之输出端，当该拉升电晶体被致能时，该第二电压位准系经该拉升电晶体之第二端输出。如申请专利范围第10项所述之电源切换电路，其中该拉升电晶体及该拉降电晶体系为N型电晶体。如申请专利范围第14项所述之电源切换电路，其中该拉降电晶体之第二端用以接收该第一电压位准，该拉降电晶体之控制端系耦接至该第一反相器之输出端，当该拉降电晶体被致能时，该第一电压位准系经该拉降电晶体之第一端输出。如申请专利范围第14项所述之电源切换电路，其中该拉升电晶体之第二端用以接收该第二电压位准，该拉升电晶体之控制端系耦接至该第二反相器之输出端，当该拉升电晶体被致能时，该第二电压位准系经该拉升电晶体之第一端输出。 |
