| 主权项 |
一种凸块下金属层结构，包括：一黏附层，设置于一晶圆之一接垫上，该黏附层之材质为含硼之镍(Ni－B)；一阻障层，设置于该黏附层上，该阻障层之材质为钴(Co)；以及一湿润层，设置于该阻障层上，该湿润层之材质为金(Au)。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该黏附层为无电电镀层(electroless plating layer)。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该阻障层为无电电镀层。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该湿润层为无电电镀层或浸镀层(immersion plating layer)。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该黏附层之厚度大约为1~15微米(um)。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该阻障层之厚度大约为0.15~7.5微米。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该湿润层之厚度大约为0.05~0.15微米。如申请专利范围第1项所述之凸块下金属层结构，其中该接垫之材质为铝(Al)或铜(Cu)。一种晶圆结构，包括：一晶圆；一接垫，设置于该晶圆上；一钝化层，覆盖于该晶圆并且暴露出部分之该接垫；以及一凸块下金属层，包括：一黏附层，设置于该接垫上，该黏附层之材质为含硼之镍；一阻障层，设置于该黏附层上，该阻障层之材质为钴；及一湿润层，设置于该阻障层上，该湿润层之材质为金。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该黏附层为无电电镀层。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该阻障层为无电电镀层。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该湿润层为无电电镀层或浸镀层。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该黏附层之厚度大约为1~15微米。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该阻障层之厚度大约为0.15~7.5微米。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该湿润层之厚度大约为0.05~0.15微米。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该接垫之材质为铝或铜。如申请专利范围第9项所述之晶圆结构，其中该结构更包括：一凸块(bump)，设置于该湿润层上。如申请专利范围第17项所述之晶圆结构，其中该凸块之材质为锡(Sn)、铅(Pb)、镍、金、银(Ag)、铜或其组合。一种晶圆结构之形成方法，包括：提供一晶圆，该晶圆之表面设置有一接垫并且覆盖有一钝化层，该钝化层系暴露出部分之该接垫；无电电镀(electroless plating)一黏附层于该接垫上，该黏附层之材质为含硼之镍(Ni－B)；无电电镀一阻障层于该黏附层上，该阻障层之材质为钴(Co)；以及形成一湿润层于该阻障层上，该湿润层之材质为金(Au)。如申请专利范围第19项所述之形成方法，其中该黏附层之厚度大约为1~15微米。如申请专利范围第19项所述之形成方法，其中该阻障层之厚度大约为0.15~7.5微米。如申请专利范围第19项所述之形成方法，其中该湿润层之厚度大约为0.05~0.15微米。如申请专利范围第19项所述之形成方法，其中于形成该湿润层之步骤中，该湿润层系无电电镀或浸镀(immersion plating)于该阻障层上。如申请专利范围第19项所述之形成方法，其中该黏附层、该阻障层及该湿润层系构成一凸块下金属层(Under Bump Metallurgy，UBM)。如申请专利范围地19项所述之方法，其中该方法更包括：印刷一焊料层于该湿润层上；及回焊该焊料层以形成一凸块。如申请专利范围第19项所述之方法，其中该方法更包括：利用直接植球之方式将一凸块设置于该湿润层上。 |
