| 主权项 |
一种陶瓷/金属复合结构之制造方法，依序包含以下步骤：(a)对一铜片执行多阶段之预氧化处理，其中该多阶段之预氧化处理包含一第一阶段之预氧化处理以及一第二阶段之预氧化处理，且该第一与第二阶段之预氧化处理系在具有不同氧分压之气氛中以及不同的温度完成；(b)将该铜片置于一陶瓷基板上；及(c)加热该铜片及该陶瓷基板至一接合温度以执行一接合处理，以将该铜片及该陶瓷基板接合在一起，以依据该多阶段之预氧化处理来提升该铜片及该陶瓷基板之介面强度。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第一阶段之预氧化处理之一温度范围系在50℃至700℃之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第二阶段之预氧化处理之一温度范围系在50℃至700℃之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中各该第一与第二阶段之预氧化处理之一温度范围系在50℃至700℃之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第一阶段之预氧化处理之一时间范围系在1至600分钟之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第二阶段之预氧化处理之一时间范围系在1至600分钟之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中各该第一与第二阶段之预氧化处理之一时间范围系在1至600分钟之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第一阶段之预氧化处理之该气氛中的该氧分压系在0.01至1.1×105Pa之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制.造方法，其中该第二阶段之预氧化处理之该气氛中的该氧分压系在0.01至1.1×105Pa之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中各该第一与第二阶段之预氧化处理之该气氛中的该氧分压系在0.01至1.1×105Pa之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第一与第二阶段之预氧化处理系在不同的时间范围中完成。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该第一与第二阶段之预氧化处理之最高温度之一绝对温度与铜之一熔点之绝对温度的比值系小于或等于0.75。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该接合温度系在铜与氧化铜之间的共晶点与铜的熔点之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该接合温度系在铜与氧化铜之间的共晶点与1000℃之间。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该多阶段之预氧化处理更包含一第三阶段之预氧化处理，其气氛及温度不同于该第一阶段之预氧化处理及该第二阶段之预氧化处理之气氛及温度。如申请专利范围第1项所述之陶瓷/金属复合结构之制造方法，其中该陶瓷基板之一材料系选自于由氧化铝、氧化矽、氮化铝、氮化矽、碳化矽、玻璃及玻璃陶瓷所组成的群组。 |
